[发明专利]高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法无效
申请号: | 200810204034.7 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN101752302A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 张玮;姜德鹏;陈鸣波;张忠卫;池卫英;陆剑峰;王训春;钱勇 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 郑丹力 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及太阳电池制造,公开了一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法,包括1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作;2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽;3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au;4、集成二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发;5、减反射膜蒸发AlO/TiO;6、划片机电池分离;7、检测,本发明解决了这种太阳电池易受静电击穿和产量限制等问题,取得了成本低廉、实现十几层化合物半导体材料大面积均匀刻蚀、时间可控、可重复性高,以及器件可靠性改善等有益效果。 | ||
搜索关键词: | 高效 太阳电池 新型 集成 旁路 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法,包括:圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽、背面电极蒸发、减反射膜蒸发、划片机电池分离、测试;其特征在于,该方法采用GaInP/GaAs/Ge太阳电池工艺与圆角旁路二极管集成湿法化学腐蚀方法融合制造的工艺,包括如下的步骤:步骤1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作,选择旁路二极管图形的边缘和圆角,把裸露区域控制在二极管面积的5%以下;步骤2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽,对P化物采用HCl,As化物采用1H3PO4:1H2O2:3H2O,对Ge化物采用2HF:1H2O2:7CH3COOH腐蚀溶液;步骤3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au;步骤4、集成旁路二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发,制作电极蒸发光刻版与二极管图形制作光刻版,其边缘预留区域为70~90微米;步骤5、减反射膜蒸发AlO/TiO;步骤6、划片机电池分离;步骤7、圆角集成本体二极管测试检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造