[发明专利]高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810204034.7 申请日: 2008-12-04
公开(公告)号: CN101752302A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 张玮;姜德鹏;陈鸣波;张忠卫;池卫英;陆剑峰;王训春;钱勇 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 郑丹力
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及太阳电池制造,公开了一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法,包括1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作;2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽;3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au;4、集成二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发;5、减反射膜蒸发AlO/TiO;6、划片机电池分离;7、检测,本发明解决了这种太阳电池易受静电击穿和产量限制等问题,取得了成本低廉、实现十几层化合物半导体材料大面积均匀刻蚀、时间可控、可重复性高,以及器件可靠性改善等有益效果。
搜索关键词: 高效 太阳电池 新型 集成 旁路 二极管 制造 方法
【主权项】:
一种高效太阳电池新型圆角集成旁路二极管的制造方法,包括:圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽、背面电极蒸发、减反射膜蒸发、划片机电池分离、测试;其特征在于,该方法采用GaInP/GaAs/Ge太阳电池工艺与圆角旁路二极管集成湿法化学腐蚀方法融合制造的工艺,包括如下的步骤:步骤1、圆角集成旁路二极管图形光刻版设计与制作,选择旁路二极管图形的边缘和圆角,把裸露区域控制在二极管面积的5%以下;步骤2、圆角集成旁路二极管图形湿法化学腐蚀隔离槽,对P化物采用HCl,As化物采用1H3PO4:1H2O2:3H2O,对Ge化物采用2HF:1H2O2:7CH3COOH腐蚀溶液;步骤3、背面电极蒸发Pd/Ag/Au;步骤4、集成旁路二极管正面电极光刻版防短路设计与蒸发,制作电极蒸发光刻版与二极管图形制作光刻版,其边缘预留区域为70~90微米;步骤5、减反射膜蒸发AlO/TiO;步骤6、划片机电池分离;步骤7、圆角集成本体二极管测试检测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810204034.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top