[发明专利]多晶硅还原反应炉无效
申请号: | 200810204124.6 | 申请日: | 2008-12-05 |
公开(公告)号: | CN101463498A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 袁建中 | 申请(专利权)人: | 袁建中 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C01B33/03;C30B28/14 |
代理公司: | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 200030上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种多晶硅还原反应炉,包括炉体,置于炉体内的电极和与电极连接的硅芯,进气口,排气口,置于炉体开口处的活动炉门,与炉体分离而活动或固定的电极盘。所述炉体的中心轴线沿水平方向置放。使用本发明的还原反应炉进行多晶硅的生产,容易扩大生产规模,缩短生产周期,节约生产成本,提高成品率和生产效率。 | ||
搜索关键词: | 多晶 还原 反应炉 | ||
【主权项】:
1. 一种多晶硅还原反应炉,包括炉体、置于炉体内的电极和与电极连接的硅芯、进气口、排气口,其特征在于,包括置于炉体开口处的活动炉门,与炉体分离并活动或固定的电极盘,所述炉体的中心轴线沿水平方向置放。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于袁建中,未经袁建中许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810204124.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单砖自保温槽式空心砖或砌块
- 下一篇:一种多普勒超声成像系统发射电源监测装置