[发明专利]一种荷电材料水平梯度薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种荷电材料水平梯度薄膜的制备方法，该方法是将荷电材料分散在溶剂中并调节其pH值及离子强度，形成稳定分散体系，再将导电基底浸入稳定分散体系，使用双恒电位仪将荷电材料沉积到导电基底上，形成具有水平梯度的薄膜。本发明提供了一种在梯度电场下用电泳沉积法制备荷电材料梯度薄膜的方法。所制备的薄膜厚度沿水平方向逐渐变化，可用于光学和光电转换等方面的应用，也为其它水平梯度薄膜材料的制备提供了一种可行的方法。

主权项

1、一种荷电材料水平梯度薄膜的制备方法，其特征在于：是在梯度电场下用电泳沉积法来制备梯度薄膜，其具体步骤如下：a)将导电基底清洗干净，或者将其表面修饰一层正电荷或负电荷层；所述导电基底选自氧化铟锡(ITO)导电玻璃、钢板、铝板或其它金属板材；b)将荷电材料分散于溶剂中并调节其pH值及离子强度，形成稳定分散体系；其荷电材料为各种表面荷电的量子点、纳米粒子、溶胶粒子、粘土、染料分子或聚合物电解质；所述溶剂为：水或有机溶剂；荷电材料分散于溶剂中的浓度为1×10-3mol dm-3～1mol dm-3；c)在上述稳定分散体系中通入惰性气体充分除氧，然后将导电基底浸入其中，将导电基底的两端连接到双恒电位仪的两个工作电极上，工作电极所加电压范围为-10～+10V，调节两个工作电极的电压差为0.1～2V/cm，沉积时间为60s～200min，即可制备出厚度为5纳米～1微米的水平梯度薄膜。