[发明专利]分栅式闪存的制造方法有效
| 申请号： | 200810204359.5 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101447435A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;李荣林;李栋;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在浮栅的侧壁形成隧穿氧化层的第一部分，在衬底上形成控制栅氧化层的第一部分；淀积形成所述隧穿氧化层的第二部分以及所述控制栅的第二部分；在所述控制栅氧化层上淀积形成第一多晶硅层；进行各向异性多晶硅刻蚀形成在所述控制栅氧化层上的侧壁控制栅。本发明把控制栅氧化层和隧穿氧化层改为热氧氧化和CVD淀积叠加形成，即在CVD淀积之前首先进行高温氧化，在单晶硅衬底上生长栅氧化层，在多晶硅浮栅上生长隧穿氧化层，利用单晶硅和多晶硅氧化速率的差异减小控制栅氧化层厚度，增强控制栅氧化层对沟道的控制能力，同时不影响闪存的数据保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅式 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种分栅式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在浮栅的侧壁形成隧穿氧化层的第一部分，在衬底上形成控制栅氧化层的第一部分；淀积形成所述隧穿氧化层的第二部分以及所述控制栅的第二部分；在所述控制栅氧化层上淀积形成第一多晶硅层；刻蚀部分所述第一多晶硅层形成侧壁控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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