[发明专利]三靶磁控共溅射制备铝-铜-铁准晶涂层的方法及其应用无效
申请号: | 200810204439.0 | 申请日: | 2008-12-11 |
公开(公告)号: | CN101429648A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 周细应;刘延辉;何佳 | 申请(专利权)人: | 上海工程技术大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/42;C23C14/14 |
代理公司: | 上海三方专利事务所 | 代理人: | 吴干权 |
地址: | 201620上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及磁控共溅处理表面材料的技术领域,具体地说是一种三靶磁控共溅射制备铝—铜—铁准晶涂层的方法及其应用,其特征在于:磁控共溅射中采用Al靶、Cu靶和Fe靶三种靶材同时进行磁控溅射;磁控共溅射工艺参数为:Al靶溅射功率为116-125W、Cu靶溅射功率为12-13W、Fe靶溅射功率为30-38W、背底真空度为1.5×10-4Pa,充入Ar气后工作气压为2.0Pa,基底负偏压为-120V,基底温度为550℃,溅射60min。本发明与现有技术相比,准晶涂层的硬度高,摩擦系数低,耐磨及抗高温氧化性能好,镀层组织均匀和致密,涂层附着力高;采用磁控溅射方法有利于控制合金靶材的成分,勿需经过退火热处理。 | ||
搜索关键词: | 三靶磁控共 溅射 制备 铁准晶 涂层 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1、一种三靶磁控共溅射制备铝—铜—铁准晶涂层的方法,其工艺步骤依次为基底材料预处理、抽真空、调节磁控共溅射工艺参数、磁控共溅射、缓冷取出得成品,其特征在于:采用不锈钢作为基底材料;所述的磁控共溅射中采用Al靶、Cu靶和Fe靶三种靶材同时进行磁控溅射;磁控共溅射工艺参数为:Al靶溅射功率为116-125W、Cu靶溅射功率为12-13W、Fe靶溅射功率为30-38W、背底真空度为1.5×10-4Pa,充入Ar后工作气压为2.0Pa,基底负偏压为-120V,基底温度为550℃,溅射时间为60min。
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