[发明专利]闪存结构无效
| 申请号： | 200810204978.4 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771074A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存结构，包括：半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；隧穿氧化层，形成在所述基底表面上；浮栅，位于源极和漏极之间并叠加在所述隧穿氧化层上方；绝缘层，位于所述浮栅上表面；控制栅，叠加在所述绝缘层上表面；氧化层，沉积在所述浮栅、绝缘层及控制栅叠加而成的侧壁和所述控制栅上表面；氮化物，沉积在所述氧化层的侧壁上。与现有技术相比，本发明提供的闪存结构采用ON的介质结构代替了现有技术中ONO的介质结构，使得加厚的氮化物不仅增大了其绝缘性能，而且有效克服了后续蚀刻工艺中去除介质结构而引起介质结构变薄的问题，大大提高了存储在浮栅内电荷的保持时间，避免了数据的遗失。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 | ||
【主权项】：
一种闪存结构，其特征在于，包括：半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；隧穿氧化层，形成在所述基底表面上；浮栅，位于源极和漏极之间并叠加在所述隧穿氧化层上方；绝缘层，位于所述浮栅上表面；控制栅，叠加在所述绝缘层上表面；氧化层，沉积在所述浮栅、绝缘层及控制栅叠加而成的侧壁和所述控制栅上表面；氮化物，沉积在所述氧化层的侧壁上。
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