[发明专利]肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法有效
| 申请号： | 200810205004.8 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101465383A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;冯 珺 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制造 方法 电阻 转换 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅肖特基二极管，其特征在于，其包括：多晶硅半导体层；与多晶硅形成肖特基接触的金属层。
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