[发明专利]高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造领域。本发明基本化学组成为xPbTiO₃+yPbZrO₃+zBaTiO₃+wSrTiO₃+uCaFeO_5/2；复合有fwt.％的Cr₂O₃和gwt.％的NiO或Bi₂O₃；其中0.30≤x≤0.50；0.40≤y≤0.70；0.01≤z≤0.10；0.01≤w≤0.10；0.0≤u≤0.10；0.01≤f≤0.30；0.01≤f≤0.50。本发明经配料混合、压块成型、预烧、烧结获得的材料的介电常数ε＝1200-1400、压电系数d₃₃＝280～380pC/N、机械品质因数Q_m＝400～600。本发明具有介电损耗低、晶粒细小、致密度高、机械强度高的特点，温度稳定性好，在超声换能器、特别是在石油声波测井领域具有广阔的应用前景。

主权项

1、高稳定低损耗发射压电陶瓷材料，其特征在于，基本化学组成为：xPbTiO3+yPbZrO3+zBaTiO3+wSrTiO3+uCaFeO5/2复合有fwt％的Cr2O3和gwt.％的NiO或Bi2O30. 30≤x≤0.50；0.40≤y≤0.70；0.01≤z≤0.10；0.01≤w≤0.10；0.0≤u≤0.10；0. 01≤f≤0.30；0.01≤f≤0.50。