[发明专利]接触孔与栅极之间电容的测试结构与测试方法

摘要

一种接触孔与栅极之间电容的测试结构，包括半导体衬底、多个堆叠栅、介电层以及掺杂区域金属引线。本发明还提供了一种接触孔与栅极之间电容的测试方法。本发明的优点在于，采用具有多个接触孔的测试结构，通过改变接触孔的密度，考察接触孔与栅极之间的寄生电容值，从而计算出供建立器件模型时调用的接触孔与栅极之间的电容值。

主权项

一种接触孔与栅极之间电容的测试结构，其特征在于，包括半导体衬底；多个半导体衬底掺杂区域，所述多个半导体衬底掺杂区域设置于半导体衬底中，且靠近半导体衬底的表面，多个半导体衬底掺杂区域彼此之间相互平行；多个堆叠栅，所述多个堆叠栅均设置于半导体衬底表面的两个相邻的半导体衬底掺杂区域之间，且堆叠栅之间彼此亦相互平行排列；介电层，所述介电层设置于半导体衬底的表面以覆盖所述多个半导体衬底掺杂区域以及所述多个堆叠栅，所述介电层具有多个接触孔，所述接触孔分别设置于同半导体衬底掺杂区域所对应的位置；以及掺杂区域金属引线，所述掺杂区域引线通过设置于介电层中的多个接触孔与半导体衬底掺杂区域电学连接。