[发明专利]轻掺杂漏极的形成方法有效

专利信息
申请号: 200810205381.1 申请日: 2008-12-31
公开(公告)号: CN101770950A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 刘兵武;居建华 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/335 分类号: H01L21/335;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 董立闽;李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种轻掺杂漏极的形成方法,包括步骤:提供表面至少形成一个栅极结构的衬底;以所述栅极结构为掩膜,对所述衬底进行非晶化处理,形成非晶化区域;对所述非晶化区域进行磷注入处理;对所述非晶化区域进行共注入处理;进行快速热退火处理,在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。可以在降低器件的热预算的同时,维持较浅的结深,得到较好的器件电性能,对小尺寸器件的制作尤其有利。
搜索关键词: 掺杂 形成 方法
【主权项】:
一种轻掺杂漏极的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供表面至少形成一个栅极结构的衬底;以所述栅极结构为掩膜,对所述衬底进行非晶化处理,形成非晶化区域;对所述非晶化区域进行磷注入处理;对所述非晶化区域进行共注入处理;进行快速热退火处理,在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。
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