[发明专利]轻掺杂漏极的形成方法有效
| 申请号： | 200810205381.1 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770950A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘兵武;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种轻掺杂漏极的形成方法，包括步骤：提供表面至少形成一个栅极结构的衬底；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；对所述非晶化区域进行磷注入处理；对所述非晶化区域进行共注入处理；进行快速热退火处理，在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。可以在降低器件的热预算的同时，维持较浅的结深，得到较好的器件电性能，对小尺寸器件的制作尤其有利。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面至少形成一个栅极结构的衬底；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；对所述非晶化区域进行磷注入处理；对所述非晶化区域进行共注入处理；进行快速热退火处理，在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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