[发明专利]电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 200810205385.X | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771036A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/06;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容器及其制作方法。其中电容器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底基底相对面上的总线和接地线；贯穿半导体衬底与总线连接的第一导电插塞；贯穿半导体衬底与接地线连接的第二导电插塞；位于半导体衬底基底面上的第一层间介质层；贯穿第一层间介质层且与第一导电插塞导通的第一电极；贯穿第一层间介质层且与第二导电插塞导通的接地垫层；位于第一层间介质层、第一电极及接地垫层上的第二层间介质层；贯穿第二层间介质层且与接地垫层连接的第三导电插塞；位于第二层间介质层中与第三导电插塞连通的第二电极。本发明降低电感，提高器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电容器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底基底相对面上的总线和接地线；贯穿半导体衬底与总线连接的第一导电插塞；贯穿半导体衬底与接地线连接的第二导电插塞；位于半导体衬底基底面上的第一层间介质层；贯穿第一层间介质层且与第一导电插塞导通的第一电极；贯穿第一层间介质层且与第二导电插塞导通的接地垫层；位于第一层间介质层、第一电极及接地垫层上的第二层间介质层；贯穿第二层间介质层且与接地垫层连接的第三导电插塞；位于第二层间介质层中与第三导电插塞连通的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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