[发明专利]一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 200810207240.3 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101476152A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王春瑞;刘建;谢庆庆 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/10;C30B29/62 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100-200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～1100℃，沉积压力为200Torr(1Torr≈133Pa)，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。本发明制备的单晶ZnSe/Ge异质结纳米线具有直径均匀，表面光滑，结晶度好，有高质量的异质界面，该制备工艺简单，采用一步热蒸发即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 znse ge 异质结 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，包括：将ZnSe和Ge粉末作为原材料放置在石英管中间位置，用硅片为衬底，放入混合粉末下风方向的石英舟中，石英管一端接供气系统，另一端接机械真空泵，通入流量为100-200sccm的氩气，控制石英反应管中间位置温度为1000℃～I100℃，沉积压力为200Torr，沉积反应2h后，关闭加热电源，自动冷却至室温，即得ZnSe/Ge异质结纳米线。2.根据权利要求1所述的一种单晶ZnSe/Ge异质结纳米线的制备方法，其特征在于：所述的石英反应管中间位置温度为1050℃。
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