[发明专利]减少球状缺陷的方法及其装置无效
| 申请号： | 200810207333.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101752209A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 曾德强;徐立;李世梁;俞海明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种减少球状缺陷的方法及其装置，属于半导体制造技术领域。减少球状缺陷的方法是：通过在等离子干法刻蚀完成后，对半导体晶圆进行静电消除。减少球状缺陷的装置包括用于静电消除的电离空气吹洗设备。通过消除静电荷，能大大减少清洗过程中残留的静电电荷吸附清洗液中的碳硅元素形成杂质造成球状缺陷的现象，从而有效提晶圆制程中的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 球状 缺陷 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种减少球状缺陷的方法，用于对晶圆进行等离子干法刻蚀之后，其特征在于，包括：对所述半导体晶圆进行静电消除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
