[发明专利]一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法

摘要

本发明公开了一种双面钝化与激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，该方法是在常规晶体硅太阳电池制备工艺的基础上，对太阳电池前后表面进行双面钝化，然后利用激光在太阳电池后表面钝化层上快速打点，形成背电极局部接触窗口，丝网印刷或磁控溅射电极后，制备成效率较高的背点接触晶体硅太阳电池。本发明利用激光直接开钝化层窗口技术，无论与传统的光刻法还是与激光烧融铝电极法相比，其工艺步骤、工艺时间和制备成本都大为降低。并且本发明采用的丝网印刷和磁控溅射制备背电极方式都非常有利于大规模生产，尤其是丝网印刷技术，成本低、产量大，与当前生产线一致，极为有利地推动这种技术的产业化。

主权项

1. 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：在常规晶体硅太阳电池制备工艺的基础上，对太阳电池前后表面进行双面钝化，然后利用激光在太阳电池后表面钝化层上快速打点，形成背电极局部接触窗口，丝网印刷或磁控溅射电极后，制备成效率较高的背点接触晶体硅太阳电池。