[发明专利]一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法，该方法是在太阳电池的正面和背面制备叠层钝化层，利用丝网印刷在背面叠层钝化层上印制腐蚀性浆料的方法，在背面叠层钝化层开电极窗口，然后在其上丝网印刷或溅射法形成背电极。本发明利用丝网印刷腐蚀性浆料的方法，实现了双面钝化太阳电池结构。双面钝化结构，大大提高太阳电池长波响应，提高了太阳电池的转换效率，同时因为取消了全铝背场结构，采用局部铝背场，减小了太阳电池的弯曲，更适应太阳电池薄片化的趋势。使用丝网印刷技术代替了光刻、激光烧结的办法，节约了生产成本，更适合大规模生产。

主权项

1. 一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳电池的必需工艺，其特征在于，还包括在太阳电池的正面和背面制备叠层钝化层，利用丝网印刷在背面叠层钝化层上印制腐蚀性浆料的方法，在背面叠层钝化层开电极窗口，然后在其上用丝网印刷或溅射法形成背电极。