[发明专利]连接孔的制造方法有效
| 申请号： | 200810208047.1 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764081A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;王新鹏;孙武;尹晓明;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供连接孔的制造方法，包括：在半导体结构上依次具有刻蚀停止层和介质层；在介质层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成连接孔图案；执行主刻蚀工艺，刻蚀连接孔图案底部部分厚度的介质层；执行第一步过刻蚀工艺，刻蚀连接孔图案底部剩余的介质层，在介质层中形成底部露出刻蚀停止层的开口；执行第二步过刻蚀工艺，刻蚀开口的底部，去除开口底部部分厚度的刻蚀停止层；其中，第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比小于等于6，第二步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比大于6。该方法不会引起刻蚀不完全的问题，也不会造成刻蚀停止层击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种连接孔的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上依次具有刻蚀停止层和介质层；在所述介质层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成连接孔图案；执行主刻蚀工艺，刻蚀所述连接孔图案底部部分厚度的介质层；执行第一步过刻蚀工艺，刻蚀所述连接孔图案底部剩余的介质层，在所述介质层中形成底部露出所述刻蚀停止层的开口；执行第二步过刻蚀工艺，刻蚀所述开口的底部，去除所述开口底部部分厚度的刻蚀停止层；其中，所述第一步过刻蚀工艺和第二步过刻蚀工艺均为等离子体刻蚀，且所述第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比小于等于6，所述第二步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速率选择比大于6。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
