[发明专利]用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法，该方法是通过磁控溅射技术，采用同一导电氧化物靶材，通过控制溅射气体中的氧气含量，实现透明低阻/高阻复合薄膜的制备。本发明的优点是：采用一种靶材，在同一真空腔，不破坏真空环境，在仅改变溅射气氛中的氧气含量的工艺条件下，制备出低阻/高阻或具有电阻梯度的透明复合薄膜。减少了生产环节，缩短生产周期，工艺简单易操作，能大幅度降低生产成本，并且该工艺可同时适用于上层配置和下层配置的太阳能电池结构。

主权项

1. 一种用于薄膜太阳能电池的透明低阻/高阻复合膜的制备方法，其特征在于步骤如下：§A将准备生长透明低阻/高阻复合膜的样品和导电氧化物靶材放入磁控溅射设备的真空腔内，采用机械泵和分子泵对真空腔抽至(4～8)×10-4Pa本底真空；§B磁控溅射参数范围设定：溅射功率为50～100W；溅射气体为Ar、O2，溅射气压为0.8～2.4Pa，其中O2的体积百分比是通过调节Ar和O2的流量比来控制O2的体积百分含量；样品温度为300～500℃；溅射时间根据薄膜厚度要求而定；§C透明低阻/高阻复合膜的生长对于上层配置结构的薄膜太阳能电池，样品即为透明衬底，在透明衬底上，在纯Ar溅射气体下溅射生长透明低阻膜，膜厚根据要求而定；然后再在透明低阻膜上，在Ar、O2混合工作气体下，O2含量为1～15％，溅射生长透明高阻膜，膜厚根据要求而定，溅射结束后，停止衬底加热，薄膜样品随基片台一起冷却到室温；对于下层配置结构的薄膜太阳能电池，样品即为衬底上依次制备有背接触电极、p型吸收层、n型窗口层；在n型窗口层上依次生长透明高阻膜、透明低阻膜，透明高阻膜和透明低阻膜的生长条件与上层配置结构相同。