[发明专利]基准电压电路有效

专利信息
申请号: 200810210436.8 申请日: 2008-08-15
公开(公告)号: CN101369162A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 井村多加志 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种即使电源电压降低、电源电压变动去除比也很大的基准电压电路。即使电源端子(10)的电源电压降低,NMOS晶体管(71)非饱和动作,NMOS晶体管(71)的输出电阻(ro71)降低,只要差动放大电路(60)的放大率(Ao)大,则电源电压变动去除比(PSRRLF)也变大。由此,即使基准电压电路的最低动作电压降低,也能够使电源电压变动去除比(PSRRLF)变大。即,差动放大电路(60)的放大率(Ao)影响电源电压变动去除比(PSRRLF),所以,只要差动放大电路(60)的放大率(Ao)大,则电源电压变动去除比(PSRRLF)也相应地变大。
搜索关键词: 基准 电压 电路
【主权项】:
1.一种基准电压电路,其特征在于,该基准电压电路具有:ED型基准电压电路,其具有耗尽型晶体管和增强型晶体管,向基准电压输出端子输出基准电压;控制晶体管,其根据电源端子的电源电压,向所述ED型基准电压电路提供内部电源电压;以及差动放大电路,其输入所述基准电压和所述内部电源电压,向所述控制晶体管输出控制信号,所述差动放大电路相对于所述基准电压具有使所述耗尽型晶体管饱和动作的输入偏置电压,对所述控制晶体管进行控制,使所述ED型基准电压电路的电源电压恒定。
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