[发明专利]脉冲激光退火系统结构无效
| 申请号： | 200810210473.9 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101369526A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·N·勒纳;蒂莫西·N·托马斯;森德·拉马默蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供了用于退火半导体衬底的方法和装置。本发明的一个实施方式提供了包括设置成用于支撑衬底的第一衬底支架、设置成用于支撑衬底的第二衬底支架、连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭，其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 退火 系统 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理室，其包括：设置成支撑衬底的第一衬底支架；设置成支撑衬底的第二衬底支架；连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭，其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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