[发明专利]等离子体CVD装置、微晶半导体层、薄膜晶体管的制造

摘要

在等离子体CVD装置的电极面积变大的情况下，表面驻波的影响也明显显现出来，而导致形成在玻璃衬底上的薄膜的膜质以及厚度的面内均匀性被损坏的问题。在本发明中，对设置在反应室内的生成辉光放电等离子体的电极供给频率不同的两种以上的高频电力。通过供给频率不同的高频电力生成辉光放电等离子体，来形成半导体膜或绝缘体的薄膜。通过对等离子体CVD装置的电极重叠施加频率不同(波长不同)的高频电力，以实现等离子体的高密度化以及防止产生等离子体的表面驻波效应的均匀化。

主权项

1.一种等离子体CVD装置，包括：反应室；设置在所述反应室内的电极；将具有10m以上的波长的频率的第一交流电力施加到所述电极的第一高频电源；以及将具有未满于10m的波长的频率的第二交流电力施加到所述电极的第二高频电源，其中，通过对所述电极重叠施加所述第一高频电源的输出和所述第二高频电源的输出生成辉光放电等离子体，并且，所述电极大致为矩形并至少其一边为2000mm以上。