[发明专利]图案化方法和场效应晶体管有效
| 申请号： | 200810210675.3 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101373790A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | H·图斯;R·费尔哈伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王小衡 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种图案化方法等，其中具有T形截面的填充材料(22)用作图案化期间的掩模，以制造具有亚光刻尺寸，尤其是双翼场效应晶体管的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 方法 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(100)，具有两个沟道连接区(104、106)，具有包含至少两个控制区部分的控制区(52、62)，具有有源区，该有源区形成为单晶衬底(10c)的突起(56)，且一方面布置在沟道连接区(104、106)之间，另一方面布置在两个控制区部分之间，以及具有电绝缘且布置在控制区部分和有源区(56)之间的绝缘区(50、60)，突起(56)与衬底(10c)在其基部通过电绝缘的绝缘材料(82)隔离，以及绝缘材料(82)横向地终止于单晶衬底(10c)中的突起(56)处。
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