[发明专利]垂直磁记录介质和利用其的磁存储装置有效

专利信息
申请号: 200810211052.8 申请日: 2008-08-20
公开(公告)号: CN101373600A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 中川宏之;荒木亮子;伊藤直人;市原贵幸 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/65 分类号: G11B5/65;G11B5/66;G11B5/64
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 李涛;钟强
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提供了一种具有优异分辨率、S/N和小相邻磁道擦除的垂直磁记录介质。在衬底41上形成了用于对磁性层的取向和偏析进行控制的底层42、43和44,包括有氧化物以及主要由Co、Cr和Pt所组成的磁性材料的合金的磁性层45,以及不包含氧的铁磁性金属层46。磁性层45具有包括有铁磁性颗粒和氧化物的至少两个层,作为更靠近衬底的磁性层的部分的第一磁层451具有主要是由Cr氧化物以及从Si、Ti、Nb和Ta中选择出来的至少一种氧化物所组成的晶界,并且位于铁磁性金属层侧的第二磁性层452的晶界包括从Si、Ti、Nb和Ta中选择出来的至少一种氧化物,其中Cr氧化物小于第一磁性层。
搜索关键词: 垂直 记录 介质 利用 存储 装置
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,包括:底层,该底层位于衬底上;磁性层,该磁性层形成于所述底层上,在该磁性层中包含具有圆柱形结构的主要是由Co、Cr和Pt组成的磁性颗粒和氧化物;以及铁磁性金属层,该铁磁性金属层形成于所述磁性层上并且不包含氧化物,其中所述磁性层是由下述至少两个层组成的,所述至少两个层包括形成于所述底层侧的第一磁性层以及形成于所述铁磁性金属层侧的第二磁性层,其中所述第一磁性层的晶界包括Cr氧化物以及从Si、Ti、Nb和Ta中选择出来的至少一种氧化物,并且所述第二磁性层的晶界包括从Si、Ti、Nb和Ta中选择出来的至少一种氧化物,其中包含在Cr氧化物之中的Cr和氧的元素浓度之和小于所述第一磁性层中的Cr和氧的元素浓度之和并且低于5原子%。
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