[发明专利]检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法

摘要

本发明提供了检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法。对于形成在半导体晶片上的结构创建光学测量模型。光学测量模型包含一个或多个外形参数、一个或多个工艺参数和色散。获得将色散与一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数。利用光学测量模型以及工艺参数中的所述至少一个的值和色散的值来创建仿真衍射信号。利用工艺参数中的所述至少一个的值和色散函数来计算色散的值。获得结构的测量衍射信号。将测量衍射信号与仿真衍射信号进行比较。基于测量衍射信号与仿真衍射信号的比较，来确定结构的一个或多个外形参数和一个或多个工艺参数。

主权项

1. 一种利用光学测量模型检查形成在半导体晶片上的结构的方法，所述方法包括：a)对于所述结构创建光学测量模型，所述光学测量模型包含表征所述结构的一个或多个几何特征的一个或多个外形参数、表征用于制造所述结构的一个或多个工艺条件的一个或多个工艺参数、表征所述结构的材料的光学性质的色散；b)获得将所述色散与所述一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数；c)利用所述光学测量模型和所述工艺参数中的所述至少一个的值以及所述色散的值来创建仿真衍射信号，其中利用所述工艺参数中的所述至少一个的所述值和所述色散函数来计算所述色散的所述值；d)获得所述结构的测量衍射信号，其中所述测量衍射信号是从所述结构测量到的；e)将所述测量衍射信号与所述仿真衍射信号进行比较；以及f)基于所述测量衍射信号与所述仿真衍射信号的比较，来确定所述结构的一个或多个外形参数。