[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法以及图像拾取装置无效
申请号: | 200810211485.3 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101399282A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 武田健 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明中公开了固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及图像拾取装置,其中,该固态图像拾取装置包括:多个光接收单元、转移沟道、第一转移电极、第二转移电极、第一配线、以及第二配线。通过本发明,可以减少水平方向上从倾斜角度入射至光接收单元上的光的遮挡,从而能够改善光接收单元的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1. 一种固态图像拾取装置,包括:多个光接收单元,在水平方向和垂直方向上以矩阵形式进行配置;多列中的转移沟道,用于在垂直方向上转移累积在所述光接收单元中的信号电荷;第一转移电极,用于读取累积在所述光接收单元中的信号电荷并在垂直方向上转移所述信号电荷,所述第一转移电极设置在与所述光接收单元的垂直方向上的中心部相邻的所述转移沟道上;第二转移电极,用于在垂直方向上转移通过所述第一转移电极转移的信号电荷,所述第二转移电极在与所述第一转移电极相同的层中设置在所述转移沟道上;第一配线,用于在水平方向上将所述矩阵的相同行中的所述第一转移电极彼此连接;以及第二配线,用于在水平方向上将所述矩阵的相同行中的所述第二转移电极彼此连接;其中,当所述第一配线和所述第二配线由多晶硅形成时,所述第一转移电极和所述第二转移电极的膜厚小于所述第一配线和所述第二配线的膜厚,所述第二配线设置在所述第二转移电极上,所述第一配线包括设置在所述第二配线上方的层中并在水平方向上延伸的水平部以及以垂直方向上分支的形式从所述水平部延伸并在所述第一转移电极上延伸的分支部,以及所述分支部从所述水平部开始朝向所述第一转移电极弯曲并在所述第一转移电极上延伸,使得在所述第一转移电极上延伸的所述分支部上形成透明层间绝缘膜的空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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