[发明专利]电子熔丝结构无效
| 申请号： | 200810211721.1 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101546749A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 陈晞白 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子熔丝结构，包含有：阴极块；位于阴极块上的多个阴极接触插塞；阳极块；位于阳极块上的多个阳极接触插塞；以及熔丝链接，用于将阴极块与阳极块相连接，其中多个阴极接触插塞的前一行设置于靠近熔丝链接的位置，以使得阴极块与熔丝链接之间的界面上具有高热量梯度。本发明的电子熔丝结构通过将阴极接触插塞设置于靠近熔丝链接的位置，以在阴极块与熔丝链接之间的界面上形成高的热量梯度，从而改善了成品率与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种电子熔丝结构，包含有：阴极块；位于该阴极块上的多个阴极接触插塞；阳极块；位于该阳极块上的多个阳极接触插塞；以及熔丝链接，用于将该阴极块与该阳极块相连接，其中该多个阴极接触插塞的前一行设置于靠近该熔丝链接的位置，以使得该阴极块与该熔丝链接之间的界面上形成高热量梯度。
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