[发明专利]氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法无效
| 申请号： | 200810212053.4 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369599A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 董志华;王金延;郝一龙;文正;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/45;H01L29/772;H01L29/737;H01L33/00;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列2－10个周期。与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 器件 欧姆 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，其中，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其特征在于，上述钛金属层和铝金属层重叠排列2～10周期。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810212053.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗产后风的配方
- 下一篇：基于文件方式的网元管理系统软件版本管理方法
- 同类专利
- 专利分类
