[发明专利]保护带剥离方法及保护带剥离装置有效
申请号: | 200810212314.2 | 申请日: | 2008-09-08 |
公开(公告)号: | CN101388332A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 山本雅之;宫本三郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供保护带剥离方法及保护带剥离装置。对粘贴于载置保持在剥离台上的晶圆的保护带的表面高度进行检测,基于该检测信息算出使粘贴构件接近保护带、直到使缠挂于粘贴构件的剥离带接触到保护带为止的动作量,以算出的动作量来控制粘贴构件接近保护带的动作,在保持粘贴构件的高度的状态下,使粘贴构件和剥离台沿着保护带面方向相对移动而将剥离带粘贴于保护带,并且,将剥离带与保护带一体地自晶圆表面剥离。 | ||
搜索关键词: | 保护 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种保护带剥离方法,该方法用粘贴构件从剥离带的非粘接面侧将剥离带按压在粘贴于半导体晶圆表面的保护带上的同时、将剥离带粘贴于该保护带上,通过剥离该剥离带,从而将保护带与剥离带一体地自半导体晶圆的表面剥离,其中,上述方法包括以下过程:检测过程,其对粘贴于载置保持在剥离台上的半导体晶圆的上述保护带的剥离带粘贴开始位置及表面高度进行检测;运算过程,其基于上述保护带的表面高度的检测信息,算出使粘贴构件接近保护带、直到使缠挂于上述粘贴构件上的上述剥离带接触于保护带为止的动作量;剥离带粘贴开始过程,其基于算出的上述动作量来控制粘贴构件接近保护带的动作,将剥离带粘贴于保护带;剥离带粘贴过程,其在基于上述动作量保持粘贴构件的高度的状态下,使粘贴构件和剥离台沿着保护带面方向相对移动而将剥离带粘贴于保护带;带剥离过程,其将上述剥离带与保护带一体地自半导体晶圆表面剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810212314.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造