[发明专利]非易失性存储单元的制造方法

摘要

本发明是关于一种非易失性存储单元的制造方法，特别是指一种在栅电极的制造上使用自对准金属硅化物的制造方法，利用此一自对准金属硅化物作为多晶硅栅电极上的连接层，以取代已知的钨金属层，可以减少该步骤中掩膜制造工艺的使用，达成简化制造过程并降低成本的目的，同时亦可以避免钨金属层产生氧化而导致电阻偏移。

主权项

1、一种非易失性存储单元的制造方法，其特征在于，所述方法是在包含一个以上存储单元、多晶硅栅电极、氧化硅-氮化硅-氧化硅层构造、源极、漏极的一硅基板其上实施如下列的制造步骤：以清洗程序移去表面所形成的原始氧化层；利用溅射或化学蒸发方式将金属层形成于上述多晶硅栅电极、源极、漏极区域及其它区域之上；于所述金属层上进一步形成一阻挡层，以保护金属层与硅基材形成金属硅化物的反应时不与外部空气接触；将所述金属层及阻挡层进行高温第一次热处理，使所述金属层与硅基材反应而形成金属硅化物；利用湿法刻蚀移除未反应的金属层及阻挡层，以形成自对准金属硅化物层；以及将自对准金属硅化物层进行第二次热处理，使金属硅化物的内部形成相转化的金属硅化物结构。