[发明专利]薄膜晶体管、有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810212607.0 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373792A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/336;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，包括金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源区和漏区。
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