[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810212853.6 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101414621A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张正宏;叶震南;许育荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。本发明优选具体实施例包括一非平面晶体管，其中该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区域；一层间介电层，位于该非平面晶体管上；以及所述多个接触元件，穿过该层间介电层以形成到源极/漏极区域。所述多个接触元件优选与该鳍的多个表面接触，以便增加所述多个接触元件与该鳍之间的接触面积。本发明减少了接触阻值，同时在制造过程中减少了接触元件的误对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括：一衬底；一非平面晶体管，位于该衬底上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区域，该鳍包括多个表面；一层间介电层，位于该非平面晶体管的上方；以及多个接触元件，至少部分穿过该层间介电层，以形成与该源极/漏极区域的一电性接触，并接触该鳍的多个表面。
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