[发明专利]整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810213016.5 | 申请日： | 2008-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101656231A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 宋建宪;周永隆;陈俞勋;蔡政哲 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法，其包括提供一半导体衬底具有一第一区域和一第二区域，其中第一区域包括一CMOS组件，且第二区域包括一BJT组件。顺应性地沉积一介电层于所述半导体衬底上。移除部份的所述介电层，以形成一间隙壁于所述CMOS组件的一栅极结构的侧壁上，并留下残留薄的所述介电层于所述BJT组件上。完全移除所述残留薄的所述介电层，并完成所述整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 cmos 组件 bjt 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法包括：提供一半导体衬底具有一第一区域和一第二区域，其第一区域包括一CMOS组件，且其第二区域包括一BJT组件；顺应性地沉积一介电层于所述半导体衬底上；移除部份的所述介电层，以形成一间隙壁于所述CMOS组件的一栅极结构的侧壁上，并留下残留薄的所述介电层于所述BJT组件上；以及完全移除所述残留薄的所述介电层，并完成所述整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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