[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种包含单晶IV族半导体的半导体衬底。在半导体层的一部分上外延生长单晶晶格失配的IV族半导体合金层，同时掩蔽所述半导体层的另一部分。调整所述晶格失配的IV族半导体合金层的顶部部分的成分以基本上匹配所述单晶化合物半导体层的晶格常数，随后在所述单晶晶格失配的IV族半导体合金层上外延生长所述单晶化合物半导体层。这样，就在相同的半导体衬底上提供了具有所述IV族半导体层和所述单晶化合物半导体层的结构。IV族半导体器件例如硅器件以及化合物半导体器件例如具有激光发射能力的GaAs器件，都可以形成在所述半导体衬底的相同的光刻层上。

主权项

1. 一种半导体结构，包括:处理衬底；掩埋绝缘体层，邻接所述处理衬底；至少一个单晶IV族半导体结构，具有第一晶格常数，邻接所述掩埋绝缘体层，并包括选自硅、锗、碳及其合金的材料；单晶晶格失配的IV族半导体合金层，位于所述掩埋绝缘体层上，并包含具有第二晶格常数的顶部部分，其中所述第二晶格常数与所述第一晶格常数不同；以及单晶化合物半导体层的叠层，所述叠层包含:第一单晶化合物半导体层，邻接所述单晶晶格失配的IV族半导体合金层并具有第三晶格常数，其中所述所述第二晶格常数在所述第一晶格常数与所述第三晶格常数之间；第二单晶化合物半导体层，邻接并外延对准所述第一单晶化合物半导体层；以及第三单晶化合物半导体层，邻接并外延对准所述第二单晶化合物半导体层。