[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810213812.9 | 申请日: | 2008-09-08 |
公开(公告)号: | CN101383360A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 黄俊 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该传感器包括位于第一衬底上的读出电路,位于第一衬底中的电学结区,电学结区与读出电路电连接,以及位于第一衬底上的互连件。可以形成用于与电学结区相连的互连件。可以在互连件上形成图像传感器件。根据本发明的图像传感器可以抑制电荷共享现象的发生以及提高填充系数,并且可以将暗电流源最小化以及通过在光电二极管和读出电路之间为光电荷提供快速移动通道从而抑制饱和度的降低和灵敏度的降低。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,包括:读出电路,位于第一衬底上;电学结区,位于该第一衬底中,该电学结区与该读出电路电连接;互连件,位于该电学结区上;以及图像传感器件,位于该互连件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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