[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810213817.1 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101383381A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李汉春 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L23/522;H01L21/02;H01L21/318;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够提高电容器的可靠性和电容并最大化器件的集成密度的MIM电容器半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；电容器下金属层，形成在该半导体衬底的上方；SiN电容器介电层，具有约30nm或更薄的厚度并形成在该电容器介电层的上方；以及电容器上金属层，形成在该电容器介电层的一部分的上方并与该电容器下金属层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种装置，包括：半导体衬底；电容器下金属层，形成在该半导体衬底的上方；SiN电容器介电层，具有约30nm或更薄的厚度，并形成在该电容器下金属层的上方；以及电容器上金属层，形成在该电容器介电层的一部分的上方，并且该电容器上金属层与该电容器下金属层重叠。
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