[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810213822.2 | 申请日: | 2008-09-08 |
公开(公告)号: | CN101383364A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 黄俊 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/552;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法,其中图像传感器包括:具有读出电路的第一衬底、层间电介质和下线,以及具有光电二极管的第二衬底。第一衬底包含像素部分和外围部分。在像素部分上形成读出电路。在像素部分和外围部分上形成层间电介质。下线穿过层间电介质,以与读出电路和外围部分电连接。光电二极管与第一衬底接合,并且被蚀刻以对应于像素部分。在上面形成有光电二极管的层间电介质上形成透明电极,使得透明电极与光电二极管和外围部分的下线电连接。在透明电极上可形成第一钝化层。在一个实施例中,第一钝化层包括用以暴露透明电极的一部分的沟槽。然后,在外围部分上并且在沟槽中形成上线,以保护光电二极管的横向侧。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,包括:第一衬底,包含像素部分和外围部分;读出电路,位于所述像素部分上;层间电介质,位于包括所述像素部分和所述外围部分的所述第一衬底上;第一下线,穿过所述层间电介质,以与所述读出电路电连接;第二下线,穿过所述层间电介质,以与所述外围部分电连接;光电二极管,在所述层间电介质的与所述像素部分对应的部分上;透明电极,位于上面形成有所述光电二极管的所述层间电介质上,所述透明电极与所述光电二极管和所述外围部分的第二下线电连接;第一钝化层,位于所述透明电极上,所述第一钝化层包括用以暴露所述透明电极的一部分的沟槽;以及上线,位于所述外围部分上,包括在所述第一钝化层的沟槽中,其中所述上线保护所述光电二极管的位于所述像素部分边缘处的侧部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的