[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810213825.6 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101383365A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李秉镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/552;H01L31/105;H01L31/0224;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，包括CMOS电路；介电层，在所述半导体衬底上，所述介电层包括金属互连；底部电极，在所述金属互连上，其中所述底部电极具有至少一个突起；光电二极管，在所述介电层和所述底部电极上；以及顶部电极，在所述光电二极管上。通过本发明的图像传感器及其制造方法，能够提高底部电极的电子接收能力，并且能够减少或防止相邻底部电极之间的干扰(例如串扰和/或噪声)。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图像传感器，包括：半导体衬底，包括CMOS电路；介电层，位于所述半导体衬底上，且包括金属互连；底部电极，位于所述金属互连的表面上，所述底部电极具有至少一个突起；光电二极管，位于所述介电层和所述底部电极上；以及顶部电极，位于所述光电二极管上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810213825.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：牛头刨床用内螺旋油槽辅助刨削装置
- 下一篇：大型工件端面镗削装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
