[发明专利]集成电路的制造方法无效
| 申请号： | 200810214035.X | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373738A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 斯特芬·迈尔;布克哈特·鲁德威格;罗尔夫·韦斯;克里斯托夫·内尔谢尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路的制造方法，包括以下步骤：形成呈硬掩模层形式的包括多个第一开口的第一掩模层，和具有至少一个第二开口的第二掩模层，该至少一个第二开口与第一开口之一至少部分重叠，其中，至少一个第二开口被光刻地生成；以及至少两个相邻的第一开口以小于生成第二开口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的间距彼此分开。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，所述方法包括：创建包括多个第一开口的硬掩模层的形式的第一掩模层；创建具有至少一个第二开口的第二掩模层，所述至少一个第二开口与所述第一开口之一至少部分重叠，其中，光刻生成所述至少一个第二开口；以及至少两个相邻的第一开口以小于生成所述第二开口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的间距彼此分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
