[发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构与形成方法有效
| 申请号： | 200810214822.4 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101661960A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 安荷·叭剌;雷燮光;苏毅 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明涉及一种底部阳极肖特基器件，其承载在半导体衬底上，具有一作为阳极的底面，以及具有一覆盖在阳极上并和阳极具有相同的掺杂导电率的磊晶层。该底部阳极肖特基器件还包含一肖特基接触金属，该肖特基接触金属设置在若干沟槽中并覆盖在这些沟槽之间的半导体衬底的顶面。底部阳极肖特基器件还包含有若干个掺杂JBS区域，该掺杂JBS区域设置在若干侧壁上及位于前述沟槽的底面下方，并与阳极具有相反的导电类型，且这些掺杂JBS区域与设置在掺杂JBS区域之间的磊晶层构成一结势垒肖特基。而底部阳极肖特基器件更包含一超浅N型香农植入层，直接设置在前述掺杂JBS区域之间的磊晶层中以及肖特基接触金属下方。 | ||
| 搜索关键词： | 底部 阳极 肖特基 二极管 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种底部阳极肖特基器件，该肖特基器件承载在一半导体衬底上，其具有一底面与一磊晶层，该底面作为阳极，该磊晶层位于该阳极上并和该阳极具有一相同的掺杂导电率，所述的底部阳极肖特基器件还包含有：若干个掺杂结势垒肖特基区域，该掺杂结势垒肖特基区域延伸至该半导体衬底的一个深度，并与该阳极具有一相反的导电类型，且该些掺杂结势垒肖特基区域与设置在该些掺杂结势垒肖特基区域之间的磊晶层构成一结势垒肖特基；一肖特基势垒金属，其设置在该半导体衬底的顶部，并和设置在该些掺杂结势垒肖特基区域之间的磊晶层构成一肖特基接触；以及一肖特基势垒控制层，其直接设置在该些掺杂结势垒肖特基区域之间的磊晶层中，以及肖特基势垒金属的下方。
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