[发明专利]具有感光二极管层的半导体结构无效

专利信息
申请号: 200810215076.0 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101621086A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 林士玄 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08;H01L31/103
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体结构,其包含有一基板、一硅层、一感光二极管层以及一金属层。该基板为一可透光材料,该硅层制作于该基版的一第一表面上,该感光二极管层制作于该硅层上,以及该金属层制作于该感光二极管层之上。该感光二极管层用来侦测入射至该基板的一第二表面并穿透该基板的一入射光,且该第二表面与该第一表面分别位于该基板的两侧。在本发明中,感光二极管层制作于基板的一表面,并且侦测入射至基板另一表面且穿透该基板的入射光,因此,金属层的设计会较为简单,且感光二极管层也会有优选的感光效率。
搜索关键词: 具有 感光 二极管 半导体 结构
【主权项】:
1.一种半导体结构,包含有:一基板,其材料为一可透光材料;一硅层,制作于该基板的一第一表面上;一感光二极管层,制作于该硅层上;以及一金属层,制作于该感光二极管层上;其中该感光二极管层用来侦测入射至该基板的一第二表面且穿透该基板的入射光,且该第二表面与该第一表面分别位于该基板的两侧。
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