[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810215183.3 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101387805A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 大植荣司;海东拓生;三宅秀和;宫泽敏夫;高品雄一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种显示装置，在基板上形成有薄膜晶体管，其特征在于，作为上述薄膜晶体管，具有在覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，隔着接触层而在该半导体层的上表面形成有漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层通过非晶硅层的结晶化而形成，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
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