[发明专利]在有源区上具有存储节点的半导体器件及其制造方法

摘要

公开了在有源区上具有存储节点的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底中的有源区，具有顺序地设置在有源区中的第一、第二和第三区域。半导体衬底中的无源区限定有源区。部分地掩埋在有源和无源区中的栅极图案被安置在第一与第二区域之间或第二与第三区域之间，成直角地与有源区相交。位线图案成直角地与栅极图案相交并且与无源区重叠，该位线图案包括电连接到有源区的第二区域的区域。层间绝缘层覆盖栅极图案。该层间绝缘层上的存储节点电连接到有源区。第一存储节点与第一区域和无源区重叠，并且第二存储节点与第三区域、无源区和位线图案重叠。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：半导体衬底中的有源区，所述有源区包括顺序地设置在所述有源区中的第一、第二和第三区域；所述半导体衬底中限定所述有源区的无源区；部分地掩埋在所述有源区和所述无源区中的多个栅极图案，每个栅极图案安置在所述第一与所述第二区域之间或所述第二与所述第三区域之间，成直角地与所述有源区相交，并且穿过所述有源区和所述无源区；所述栅极图案上的位线图案，所述位线图案成直角地与所述栅极图案相交，所述位线图案与所述无源区重叠并且包括电连接到所述有源区的所述第二区域的预定区域；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极图案并包围所述位线图案以暴露所述位线图案；以及在所述层间绝缘层上并电连接到所述有源区的多个存储节点，其中第一存储节点与所述第一区域和所述无源区重叠，并且第二存储节点与所述第三区域、所述无源区和所述位线图案重叠。