[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810215852.7 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101373720A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 川野连也;副岛康志;栗田洋一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a)，在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10)，在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70)，以及在除去支撑基片之后，对种子金属层(20a)进行图形化以形成互连(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑基片上形成种子金属层；在所述种子金属层上形成包括第一互连的互连层；在形成所述互连层之后除去所述支撑基片；和在除去所述支撑基片之后，对所述种子金属层进行图形化以形成第二互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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