[发明专利]金属高k晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及金属高k晶体管及其制备方法。公开了一种减小金属高介电常数(MHK)晶体管中的寄生电容的方法。所述方法包括在衬底上形成MHK栅极叠层，所述MHK栅极叠层具有包括高介电常数材料的底层、包括金属的中间层、以及包括非晶硅或多晶硅中的一种的顶层。所述方法还在所述MHK栅极叠层的侧壁上形成耗尽的侧壁层以覆盖所述中间层和所述顶层而不覆盖所述底层。所述耗尽的侧壁层为非晶硅或多晶硅中的一种。所述方法还在所述耗尽的侧壁层之上和在所述底层的暴露的表面之上形成补偿隔离物层。

主权项

1. 一种形成金属高介电常数(MHK)晶体管的方法，包括以下步骤：提供在衬底上设置的MHK叠层，所述MHK叠层包括高介电常数材料层和包括金属的上覆层，所述MHK叠层具有包括硅的上覆层；选择性地仅仅去除所述包括硅的层和所述包括金属的层而不去除所述高介电常数材料层，以形成包括所述包括硅的层的一部分、所述包括金属的层的下伏部分、以及所述包括硅的层的上覆部分的MHK栅极结构的直立部分；在所述MHK栅极结构的所述直立部分的侧壁上形成包括硅的侧壁层；去除不在所述MHK栅极结构的所述直立部分之下的所述高介电常数材料层的部分；以及在所述侧壁层之上和在所述MHK栅极结构的所述直立部分之下的所述高介电常数材料层的剩余部分的暴露的表面之上形成补偿隔离物。