[发明专利]透光单晶硅太阳电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810220602.2 申请日: 2008-12-25
公开(公告)号: CN101442085A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 庄大建;郑鸿生;林汉德;张乐军;肖坚伟;沈忠灿;洪晓东;邱速希;蔡岳涛;郑新玲 申请(专利权)人: 广东金刚玻璃科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 汕头市高科专利事务所 代理人: 王少明
地址: 515061广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开用于光伏-建筑一体化的透光单晶硅太阳电池的制造方法,包括将单晶硅棒分段,切割透光孔,腐蚀透光孔壁,扩散制得p-n结,去除晶片周边和透光孔周围的扩散层,去除磷硅玻璃,制减反射膜,制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池,用于制造双玻璃光伏-建筑组件太阳能电池之间可以相接而不留透光间隙,由透光孔实现透光,使双玻璃光伏-建筑组件较为美观,在光伏-建筑一体化(BIPV)领域可以得到大规模的商业应用。
搜索关键词: 透光 单晶硅 太阳电池 制造 方法
【主权项】:
1. 透光单晶硅太阳电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:A. 将单晶硅棒分切成长度小于160mm的硅柱,在氦气、氖气或氩气保护气氛中,根据透光孔的尺寸和布置要求,用激光或高压水刀对硅柱切割透光孔,用1~10wt%的NaOH水溶液腐蚀透光孔壁上30~70μm的损伤层;B. 将已经切割透光孔的硅柱切割成晶片,经表面研磨,绒化处理后,进行磷扩散制得p-n结;C. 刻蚀去除晶片周边和透光孔周围0.2~0.8mm的扩散层;D. 腐蚀去除磷硅玻璃,制减反射膜;E. 制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池。
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