[发明专利]透光单晶硅太阳电池的制造方法有效
申请号: | 200810220602.2 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101442085A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 庄大建;郑鸿生;林汉德;张乐军;肖坚伟;沈忠灿;洪晓东;邱速希;蔡岳涛;郑新玲 | 申请(专利权)人: | 广东金刚玻璃科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 汕头市高科专利事务所 | 代理人: | 王少明 |
地址: | 515061广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开用于光伏-建筑一体化的透光单晶硅太阳电池的制造方法,包括将单晶硅棒分段,切割透光孔,腐蚀透光孔壁,扩散制得p-n结,去除晶片周边和透光孔周围的扩散层,去除磷硅玻璃,制减反射膜,制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池,用于制造双玻璃光伏-建筑组件太阳能电池之间可以相接而不留透光间隙,由透光孔实现透光,使双玻璃光伏-建筑组件较为美观,在光伏-建筑一体化(BIPV)领域可以得到大规模的商业应用。 | ||
搜索关键词: | 透光 单晶硅 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 透光单晶硅太阳电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:A. 将单晶硅棒分切成长度小于160mm的硅柱,在氦气、氖气或氩气保护气氛中,根据透光孔的尺寸和布置要求,用激光或高压水刀对硅柱切割透光孔,用1~10wt%的NaOH水溶液腐蚀透光孔壁上30~70μm的损伤层;B. 将已经切割透光孔的硅柱切割成晶片,经表面研磨,绒化处理后,进行磷扩散制得p-n结;C. 刻蚀去除晶片周边和透光孔周围0.2~0.8mm的扩散层;D. 腐蚀去除磷硅玻璃,制减反射膜;E. 制作电极,成为具有透光孔的单晶硅太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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