[发明专利]一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法有效
| 申请号： | 200810222102.2 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101671841A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 韩海建;戴小林;吴志强;王学峰 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B31/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅料和高纯氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1；(3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔解后，保温1到2小时；(4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开到100slpm-400slpm，使熔体快速冷却；(5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅锤破碎成小块，混合均匀；(6)然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二氧化硅，浸泡后的掺杂剂用纯水冲洗，放进烘箱烘干后备用。本方法简便，采用此种含氮掺杂剂向晶体中掺入氮元素不需要额外的装置和工序，容易控制晶体中的掺杂量，达到预期的掺杂要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 直拉硅单晶 制备 中的 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后保持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅料和高纯氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1；(3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔解后，保温1到2小时；(4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开到100slpm-400slpm，使熔体快速冷却；(5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅锤破碎成小块，混合均匀；(6)、然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二氧化硅，浸泡后的掺杂剂用纯水冲洗，最后放进烘箱烘干后备用。
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