[发明专利]铝层的生长方法及金属-绝缘体-金属板有效
| 申请号： | 200810222115.X | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673678A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 康芸;杨瑞鹏;聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铝层的生长方法，适用于集成电路制造工艺，包括：在温度低于270℃而高于零度的环境温度下，生长用于制作导电层的铝Al层。本发明还提供一种MIM板。采用本发明提供的技术方案，本发明的具体实施中，通过在低温环境温度下生长导电层中的Al层，使长出的Al层相比较高温环境下长出的Al层表面更加平整且厚度均匀，适用于IC制造的微小化工艺尺寸的环境。且由于在较低环境下长Al，使得IC或MIM板上Al的制造工艺过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 方法 金属 绝缘体 金属板 | ||
【主权项】：
1、一种铝层的生长方法，其特征在于，适用于集成电路制造工艺，包括：在温度低于270℃而高于零度的环境温度下，生长用于制作导电层的铝Al层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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