[发明专利]一种多晶硅预掺杂方法有效
| 申请号： | 200810222176.6 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673674A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 魏莹璐;何学缅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 琦;王诚华 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅预掺杂方法，具体为：在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离；在隔离层上覆盖一层光刻胶，并将图形转移到光刻胶上；在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶；最后利用湿法去除隔离层。应用本发明方案，由于可以先在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，可以很容易在离子注入后被去除，既可以使多晶硅薄膜不直接与光刻胶等物质接触，又可以彻底去除光刻胶残留物等缺陷，并同时保护多晶硅薄膜不受损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅预掺杂方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离；在隔离层上覆盖一层光刻胶，并将图形转移到光刻胶上；在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶；最后利用湿法去除隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
