[发明专利]光学元件用AlON保护膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810222213.3 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101349769A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张树玉;苏小平;杨海;黎建明;刘伟;闫兰琴;刘嘉禾 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100088北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜制备技术领域，特别涉及一种光学元件用AlON保护膜的制备方法。以高纯金属Al为靶，Ar气为工作气体，N2气和O2气为反应气体，采用反应磁控溅射工艺制备AlON膜。制备的AlON薄膜，在0.2～12μm宽波段范围内具有高的透过率和低的吸收系数，且机械强度高、硬度高、耐磨损、化学稳定性好、耐腐蚀，适于做军用光学窗口的硬质保护膜，也适于做一般光学元件如棱镜、透镜等的防潮保护膜及抗磨损膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 元件 alon 保护膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学元件用AlON保护膜的制备方法，以高纯金属Al为靶，Ar气为工作气体，N2气和O2气为反应气体，采用反应磁控溅射工艺制备AlON膜，其特征在于，制备过程包括以下步骤：(1)将光学元件基体放置到基片台上，首先将真空室真空抽至高于3×10-3Pa，然后将基体加热到室温～800℃；(2)向真空室充入Ar气，保持真空在0.1～0.5Pa，溅射功率100～1000W，对靶表面轰击清洗8-12分钟；(3)按N2/(N2+O2)＝0.05～0.95、(N2+O2)/Ar＝0.1～0.5的比例范围通入Ar、N2气和O2气的混合气体，保持溅射功率50～300W，工作真空0.1～0.3Pa，沉积AlON膜；(4)沉积结束后在上述混合气体中将工件温度缓慢降至室温，降温速率30～100℃/小时。
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