[发明专利]一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法有效
| 申请号： | 200810222328.2 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101677231A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 赵以贵;李晶晶;朱效立;牛洁斌;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，该方法是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。利用本发明，可以极大地减小电极材料的背散射效应，得到纳米尺度的叉指换能器电极，进一步提高声表面波器件的工作频率和性能。另外，还可以反复多次进行X射线曝光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 射线 曝光 制作 表面波 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，该方法是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。
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