[发明专利]液晶显示装置的阵列基板制造方法有效
申请号: | 200810222790.2 | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101685803A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 尹雄宣 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板制造方法,该方法形成栅线和数据线并且在薄膜晶体管沟道上形成钝化层后,在形成过孔和像素电极时,采用一个单调掩模板从基板正面曝光光刻胶并且形成采用一个双调掩模板时能够形成的透射区域和非透射区域;通过适当减小用于曝光的光源的光强,在没有掩模板遮挡的前提下从基板的反面曝光光刻胶并形成采用一个双调掩模板时能够形成的半透射区域,从而用一个单调掩模板替代了一个双调掩模板。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种液晶显示装置的阵列基板制造方法,其特征在于,包括:步骤1,在基板正面上形成栅线和公共线;步骤2,在完成步骤1的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道;步骤3,在完成步骤2的基板上沉积钝化层;步骤4,在完成步骤3的基板上涂覆光刻胶;步骤5,通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的反面进行曝光、以及显影和蚀刻,在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层,并露出作为像素电极接触部的部分漏电极表面;步骤6,在完成步骤5的基板上沉积像素电极透明导电层;步骤7,剥离所述光刻胶,在像素区域形成像素电极图形,所述像素电极通过所述像素电极接触部与漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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